サムスンは、同社の第5世代V-NANDを搭載した、同社初の1テラバイト組み込み型ユニバーサルフラッシュストレージ（eUFS）ストレージチップの開発を開始した。
ほとんどのAndroidスマートフォンには、所有者がデバイスの内部容量をアップグレードできるmicroSDスロットが搭載されているが、サムスンによると、新しい1TBチップは、追加のメモリカードを必要とせずにノートパソコンに匹敵するレベルのストレージ容量を提供するという。
「1TB eUFSは、次世代のモバイルデバイスにノートパソコンのようなユーザーエクスペリエンスをもたらす上で重要な役割を果たすと期待されています」とサムスン電子のメモリセールス＆マーケティング担当エグゼクティブバイスプレジデント、チョル・チェイ氏は述べています。
さらに、サムスンは、世界のモバイル市場の成長を加速させるため、今後発売される主力スマートフォンをタイムリーに発売できるよう、最も信頼性の高いサプライチェーンと十分な生産量を確保することに注力しています。」
eUFS テクノロジーは、より高い容量を提供することに加えて、標準のソリッド ステート ストレージや microSD カードよりも高速になるように設計されており、同社の 512GB フラッシュ チップと同じパッケージ サイズでありながら、1,000MB/秒のシーケンシャル読み取り速度と 58,000 IOPS のランダム読み取り速度を実現します。
サムスン社によれば、ランダム速度により毎秒960フレームの高速連続撮影が可能になり、スマートフォンのユーザーは今日および将来の主力モデルのマルチカメラ機能を最大限に活用できるようになるという。
サムスンは2017年12月に512GBストレージチップの量産を開始し、翌年には新フラッグシップスマートフォンにこの技術を搭載しました。同様の展開を想定すると、サムスンの次期Galaxy S10には、同社の新しいeUFS技術により、1TBのストレージ容量オプションが搭載される可能性が高いでしょう。
一方、サムスンは、世界中のモバイル機器メーカーからの1TB eUFSに対する予想される強い需要に対応するため、2019年上半期を通じて韓国の平沢工場で第5世代512GB V-NANDの生産を拡大する計画だ。
NAND型メモリソリューションのリーダーであるサムスンは、2017年からAppleにフラッシュメモリチップを供給しています。この開発は、Appleの将来のiPhoneおよびiPad製品に使用されるメモリに影響を与える可能性が高いと思われますが、フラッシュストレージに大きく依存するようになった将来のMacにサムスンのメモリが搭載される可能性も考えられます。
Apple の 2018 iPad Pro モデルは 1TB のストレージを搭載しており、これは iPhone や iPad でこれまでに提供された最大容量です。
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